时间：2025/6/25 19:01:10
阅读：7
IPB081N06L3 G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电源管理应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够提供出色的散热性能以满足大电流需求的场景。
这款 MOSFET 的设计使其在高效能转换器、负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：10nC
总电容：940pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
IPB081N06L3 G 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，快速开关能力以提高效率，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，这有助于降低开关损耗。
此外，该器件还拥有较高的雪崩能量能力，增强了其在异常情况下的可靠性。它采用了逻辑电平驱动设计，使得栅极驱动电压低至 4.5V 即可完全开启，非常适合电池供电设备。
另外，其 TO-252 封装提供了良好的散热路径，确保了长时间稳定运行。由于这些特性，IPB081N06L3 G 成为了许多高效率、小体积设计的理想选择。
IPB081N06L3 G 广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。具体的应用场景包括但不限于 DC-DC 转换器中的同步整流、负载开关、电池保护电路、电机驱动、LED 驱动器以及便携式设备中的电源管理部分。
在汽车电子领域，该 MOSFET 还可以用于车身控制模块中的各种开关功能，例如电动窗、雨刷器和座椅调节等组件的驱动电路。其低功耗和紧凑的设计也使得它非常适合于空间受限的应用环境。
IPD080N06S3G, IXTA08N06L
