BAV19WS_R1_00001-PEC 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频晶体管。该器件主要设计用于需要高增益、高频率响应和低噪声的应用,例如射频(RF)放大器、音频前置放大器以及模拟信号处理电路。BAV19WS_R1_00001-PEC采用SOT-323(SC-70)封装,具有小型化和高集成度的优势,适用于便携式电子产品和高密度PCB布局。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):200 mW
频率特性:250 MHz(fT)
电流增益(hFE):110 - 800(根据分档)
封装类型:SOT-323(SC-70)
BAV19WS_R1_00001-PEC的主要特性之一是其高频率响应,能够支持高达250MHz的过渡频率(fT),这使得它非常适合用于射频放大器和高速开关电路。此外,该晶体管的电流增益范围较宽,根据不同的应用需求,可以选择不同增益等级的器件(例如hFE从110到800)。这种灵活性使其适用于多种放大和开关场景。由于其SOT-323封装尺寸小,功耗低,该器件非常适合用于空间受限的便携式设备,例如智能手机、无线通信模块和穿戴式电子产品。
另一个显著特点是该晶体管的低噪声特性,这使其成为音频前置放大器等需要高信噪比的应用的理想选择。同时,它具有较高的击穿电压(Vceo为30V),能够承受较高的电压应力,提高电路的可靠性。此外,BAV19WS_R1_00001-PEC的热阻较低,有助于在高电流操作时保持良好的散热性能。
BAV19WS_R1_00001-PEC广泛应用于高频放大器电路,尤其是在射频前端模块中,如无线通信系统、蓝牙模块和Wi-Fi收发器。它也可以用于音频放大电路中的前置放大级,提供高增益和低噪声性能。此外,该晶体管适用于低功率开关应用,例如传感器信号调理电路、LED驱动器和DC-DC转换器中的控制电路。由于其小型封装和优异的高频性能,该器件在便携式消费电子产品中得到了广泛应用。
BC847, 2N3904, BFQ540