时间：2025/7/9 10:40:43
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IPB065N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沍尔功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关性能，适合用于高频开关应用和高效能转换场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK (TO-252)，具备良好的散热性能。其主要用途包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率管理相关应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：65A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：48nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
IPB065N03LG 具有非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高效率。此外，该器件还具有快速开关速度和低栅极电荷，使其在高频应用场景中表现出色。
该 MOSFET 采用了 Infineon 的 TRENCHSTOP 技术，优化了热特性和电气特性。这使得 IPB065N03LG 在高负载条件下仍然能够保持稳定的工作状态。
由于其高电流承载能力和宽泛的温度适用范围，该器件非常适合于需要高性能和可靠性的工业级或汽车级应用。
IPB065N03LG 广泛应用于各种功率转换和控制场景，例如：
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 电动汽车中的辅助系统功率控制
这些应用均得益于其低导通电阻和高电流能力，从而实现高效的功率转换与管理。
IPW065N03L
IPP065N03L
BSC065N03LSG
