时间：2025/6/12 16:02:23
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IPB054N06N3G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道沟槽型场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于高效率的开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等领域。
由于其低导通电阻和快速开关性能，这款 MOSFET 能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：14nC
开关时间：典型值 9ns（tr），17ns（tf）
结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPB054N06N3G 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 可靠的封装结构，确保长期稳定性与耐用性。
6. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. LED 照明系统的恒流控制。
4. 各类电池充电器及负载切换电路。
5. 数据通信设备中的电源管理单元。
6. 便携式电子产品的高效 DC-DC 转换模块。
IPP050N06N3G, IRF540N
