时间：2025/4/30 11:56:39
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IPB048N15N5LF是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其耐压值为150V，持续漏极电流可达4.8A，适合在高效能的电源管理电路中使用。
最大漏源电压：150V
最大漏极电流：4.8A
导通电阻：0.19Ω
栅极电荷：11nC
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
IPB048N15N5LF具备低导通电阻以减少功率损耗，并且能够承受较高的瞬态电压。它具有优秀的开关性能，这使得它非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
此外，该MOSFET还采用了先进的工艺制造，确保了良好的热稳定性和可靠性。通过优化栅极驱动设计，可以进一步提高其效率并降低电磁干扰问题。
它的封装形式（TO-263）便于散热处理，同时提供了一个坚固耐用的机械结构来满足工业级应用的需求。
该功率MOSFET广泛应用于各种电子设备中的功率管理领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池充电管理系统
5. 照明镇流器
由于其高性能表现及可靠性，在消费类电子产品、工业自动化设备以及通信基础设施等方面均有广泛应用。
IPD048N15N5LF, IPP048N15N5LF
