时间：2025/5/10 10:54:22
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IPB043N10NF2S 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于要求高效率和紧凑设计的应用场景。该芯片的封装形式为 TO-Leadless（TOLL），这种封装有助于提高散热性能并减少寄生电感。
该功率 MOSFET 的耐压为 100V，适用于多种工业和汽车领域的应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和开关电源等。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：43A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg，典型值）：78nC
输入电容（Ciss，典型值）：4940pF
反向恢复时间（trr）：65ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPB043N10NF2S 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计，能够降低开关损耗。
3. 使用 TRENCHSTOP? 技术制造，提供卓越的耐用性和可靠性。
4. 支持高频操作，适合于硬开关和软开关拓扑。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 紧凑且高效的封装形式（TO-Leadless），可改善 PCB 布局并减少寄生效应。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
2. 电动车和混合动力车中的电机控制器。
3. 开关模式电源（SMPS）设计。
4. 逆变器和 UPS 系统。
5. LED 驱动器和电池管理系统（BMS）。
6. 各类负载开关和保护电路。
IPW043N10NF2S, IPS043N10NF2S
