时间：2025/5/30 14:22:27
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SI3457DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型硅 carbide（碳化硅）MOSFET。该器件具有高效率、低导通电阻和快速开关能力，适合高频开关应用。其采用 TO-263-7 封装形式，适用于工业和汽车领域的电源转换系统。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：9A
导通电阻：38mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：620pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3457DV-T1-GE3 使用碳化硅技术制造，具备以下特点：
1. 高击穿电压，能够承受高达 650V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 38mΩ，在高电流条件下提供高效性能。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，非常适合高频应用。
4. 工作温度范围宽广，能够在 -55°C 至 +175°C 的环境中稳定运行。
5. 可靠性高，特别适合恶劣环境下的电力电子设备使用。
6. 优异的热性能和电气性能使其成为功率转换和逆变器设计的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率开关。
3. 电机驱动和工业自动化设备中的功率控制。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器和 DC/DC 转换器。
5. PFC（功率因数校正）电路和其他需要高效开关的应用。
SI3457DP, SI3458DP
