时间：2025/7/10 20:22:31
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IPB039N10N3G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 Infineon 的 TrenchSTOP? 技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效能开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和其他高功率密度应用中。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供出色的散热性能，同时其高雪崩能力确保了在异常工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：3.9mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：2370pF
总功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
IPB039N10N3G 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使其在高电流应用中表现出优异的效率。此外，它还具备以下特点：
1. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
2. 高雪崩击穿能量能力，增强了系统在过载或短路情况下的鲁棒性。
3. 通过采用先进的沟槽技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的功率密度。
4. 热稳定性强，适合长时间高温运行环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
这款功率 MOSFET 广泛应用于需要高效转换和低损耗的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如 PC 电源适配器和工业电源。
2. DC-DC 转换器，在汽车电子和通信设备中有广泛应用。
3. 电机驱动和控制电路，例如家用电器中的风扇或泵控制器。
4. 光伏逆变器及储能系统的功率管理部分。
5. 各类电池充电器以及负载切换模块。
IPW120N10S3, IRFZ44N, FDP150AN
