时间：2025/7/7 14:48:07
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IPB034N06L3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，其紧凑的设计有助于减少寄生电感，提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：184A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：57nC
总电容：1980pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPB034N06L3G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够降低传导损耗，从而提高整体效率。
2. 高电流处理能力，使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 紧凑型无引脚封装（TO-Leadless），能够有效减小安装面积，并提升散热性能。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 高可靠性与耐用性，适合在恶劣环境下长期使用。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动。
3. 开关电源（SMPS）设计。
4. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
IPW120N06S3G, IPP030N06N3G
