存储容量：2Gbit
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 1.0兼容
　　工作电压：2.7V至3.6V
　　擦写次数：10,000次（典型）
　　数据保持时间：10年（典型）
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s

W29N02GWSJBA具备高性能和高可靠性的特点，采用NAND闪存技术，能够提供快速的数据读写能力，适用于需要频繁读写操作的应用场景。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高数据存储的可靠性。此外，它还支持坏块管理功能，能够自动标记和跳过坏块，延长芯片的使用寿命。该芯片的工作温度范围较宽，通常为-40°C至+85°C，适用于各种工业环境。
　　在制造工艺方面，W29N02GWSJBA采用先进的CMOS技术，降低功耗并提高稳定性。其存储单元采用浮动栅极结构，能够有效保持电荷，确保数据长期存储的可靠性。该芯片支持标准的NAND闪存命令集，兼容多种控制器和主控芯片，方便用户进行系统设计和集成。此外，Winbond还提供丰富的技术支持和开发工具，帮助用户快速实现产品开发和调试。
　　该芯片的另一个重要特性是支持多种安全功能，包括软件写保护和硬件写保护，防止意外数据丢失或损坏。同时，它还支持一次性可编程（OTP）区域，可用于存储关键的安全信息或配置数据。

W29N02GWSJBA广泛应用于需要大容量非易失性存储的各类电子设备中。常见的应用包括数码相机、MP3播放器、USB存储设备、嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、车载电子设备等。由于其高可靠性和宽温度范围特性，该芯片也常用于工业自动化、安防监控、智能电表等对环境适应性要求较高的场合。

W29N02GVIAFA, W29N01GVIAFA, K9F2G08U0A, MT29F2G08ABADAWP