时间：2025/5/7 15:23:05
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IPB029N06N3 G是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-252 (DPAK)，有助于提高散热性能并节省PCB空间。
这款MOSFET广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域，能够提供高效、可靠的功率管理解决方案。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：9A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关损耗：低
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
IPB029N06N3 G具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频应用中减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下仍能保持稳定运行。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，可显著降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景。
6. 良好的热性能，有助于提升系统的整体效率和可靠性。
该MOSFET适用于多种功率电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和DC-DC转换。
2. 电池充电器和保护电路。
3. 电机驱动和控制。
4. 消费类电子产品中的负载切换。
5. 电信设备中的功率管理模块。
由于其出色的性能表现，IPB029N06N3 G成为许多工程师在功率转换和驱动应用中的首选元件。
IPB032N06N3 G, IPP029N06N3, IRFZ44N
