时间：2025/4/30 11:43:43
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CMFB302J3450HANT是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理电路。
型号：CMFB302J3450HANT
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-220
漏源极耐压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：18A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V~4.5V
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
CMFB302J3450HANT具有出色的电气性能，包括超低导通电阻和优化的开关特性，能够有效降低功率损耗并提高效率。
其坚固的设计使其能够在极端温度条件下稳定运行，非常适合用于要求苛刻的应用环境。
此外，该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够承受瞬态过载条件下的压力。
在设计中使用时，工程师可以充分利用其高效的开关特性和高电流承载能力来构建紧凑、高效的功率转换系统。
该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动、负载切换以及电池保护等场景。
其高电流处理能力和快速开关速度使其特别适合需要高效能量转换的应用，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器和电信设备中的功率管理模块。
此外，在电动车和工业自动化领域，CMFB302J3450HANT也表现出了卓越的性能。
CMFB302J3450HANP, IRFZ44N, FDP5800
