IPB020N10N5 时间：2025/5/30 17:42:31 阅读：20

IPB020N10N5 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 DPAK (TO-252) 封装，适用于各种高效率开关应用和功率转换场景。其设计特点在于低导通电阻和快速开关特性，能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，适合在中等电压范围的应用中使用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和电源管理电路。

参数

最大漏源电压：100V
　　持续漏电流：20A
　　导通电阻（典型值）：8.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：17nC
　　开关速度：快速
　　封装形式：DPAK (TO-252)
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IPB020N10N5 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩击穿能力和高可靠性，确保在异常情况下仍然可以正常工作。
　　4. 采用无铅封装，符合 RoHS 标准。
　　5. 出色的热稳定性，能够在极端温度范围内保持性能一致性。
　　6. 较小的封装尺寸，有助于节省 PCB 空间。

应用

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机控制和驱动，例如步进电机和直流无刷电机。
　　3. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
　　5. 电信和网络设备中的电源模块。
　　6. 各种消费类电子产品的适配器和充电器。