时间：2025/5/26 15:47:52
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IPB017N10N5是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于P沟道增强型MOSFET，采用TO-263-3封装形式，适用于多种功率转换和开关应用。其主要特点是低导通电阻、高效率以及出色的热性能，适合在汽车电子、工业控制和电源管理领域中使用。
这款MOSFET具有较高的电流承载能力，并且能够承受较大的电压波动，使其成为设计高效功率电路的理想选择。
型号：IPB017N10N5
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：100V
最大连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(Rds(on))：9.5mΩ
栅极电荷(Qg)：41nC
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围(Ta)：-55℃至175℃
封装形式：TO-263-3
IPB017N10N5具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)为9.5mΩ），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 较高的最大漏源电压（100V），使其能够在较宽的电压范围内稳定运行。
3. 大电流处理能力（17A），满足高功率应用需求。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度环境下可靠工作（-55℃至175℃）。
5. 高效的开关性能，得益于较小的栅极电荷（Qg为41nC），可以减少开关损耗。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
IPB017N10N5广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器，用于调节电压输出。
3. 电机驱动电路，提供高效的功率传输和控制。
4. 汽车电子设备，例如车身控制模块、启动停止系统等。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
7. 各类需要大电流、高压工作的功率级电路。
IPA017N10N5,
IPP017N10N5,
IPD017N10N5
