WESD36V0AD3 是一款瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬变的危害。该器件采用小尺寸封装,具有低电容和快速响应时间的特性,非常适合高速数据线和接口电路的保护应用。
该型号属于 NXP(恩智浦)推出的 TVS 系列产品,广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制等领域。
额定电压:36V
峰值脉冲电流:±15A
最大箝位电压:54.2V
电容:10pF
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:DFN1006-2
WESD36V0AD3 具有以下显著特性:
1. 超低电容设计,适合高速信号线路的保护。
2. 极快的响应时间 (<1ps),能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC61000-4-2 国际标准 (接触放电 ±15kV 和空气放电 ±15kV)。
4. 小型化封装 (DFN1006-2),节省 PCB 布局空间。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +150℃),适用于恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
WESD36V0AD3 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的场景中,典型应用包括:
1. USB 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 等高速数据接口防护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 工业自动化系统中的信号传输线路防护。
5. 汽车电子系统的 CAN/LIN 总线保护。
6. 无线通信模块中的射频信号路径保护。
PESD36V0YR, SMAJ36A, SMBJ36CA