IPAW60R360P7 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。这款器件主要应用于高效率、高密度的电源转换场景,例如服务器电源、通信电源以及工业应用中的电机驱动和逆变器等。该芯片属于 OptiMOS 系列,具有低导通电阻和出色的开关性能,能够显著降低功耗并提高系统效率。
型号:IPAW60R360P7
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):60V
RDS(on)(导通电阻,典型值):360 μΩ
IDS(连续漏极电流):150A
栅极电荷(Qg):98 nC
反向恢复时间(trr):40 ns
封装:TOLL
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IPAW60R360P7 是一款高性能功率 MOSFET,其特点包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可有效减少传导损耗。
2. 优化的开关性能,能够实现更高的开关频率和更低的开关损耗。
3. 超低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss,有助于提升整体效率。
4. 高电流处理能力,适用于大功率应用环境。
5. 出色的热性能和电气性能,确保在高温条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合长期使用。
此外,TOLL 封装设计提供了更小的占板面积和更强的散热能力,非常适合高功率密度的设计需求。
IPAW60R360P7 主要应用于以下领域:
1. 工业级 DC-DC 转换器和多相 VR 控制器。
2. 数据中心和通信设备中的高效电源模块。
3. 电动汽车充电站和储能系统的功率转换电路。
4. 大功率电机驱动和逆变器。
5. 不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等绿色能源相关产品。
6. 高端消费电子设备中的快速充电适配器。
IPB60R360CE, IRFH7738TRPBF