SCT3040KLGC11 是一款基于硅 carbide(SiC)技术的 MOSFET 芯片,由知名半导体厂商生产。该器件主要应用于高效率、高频开关场景,例如新能源汽车、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等领域。其出色的性能来源于 SiC 材料的独特属性,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力。
额定电压:1200V
额定电流:40A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:65nC
输入电容:1100pF
最大工作温度:175°C
封装形式:TO-247-4L
SCT3040KLGC11 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,减少开关损耗并支持更高频率的操作。
3. 高耐压设计,确保在高压环境下的稳定运行。
4. 支持高温操作,适用于严苛的工作条件。
5. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并提高整体性能。
6. 使用 SiC 技术,相比传统硅基器件具有更高的效率和更小的体积。
7. TO-247-4L 封装提供更好的散热性能和电气隔离能力。
SCT3040KLGC11 广泛应用于以下领域:
1. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换器。
2. 光伏逆变器,用于将太阳能转化为可用电力。
3. 工业电机驱动,提供高效能量转换。
4. 不间断电源(UPS),确保关键设备的持续供电。
5. 高频开关电源和各种功率转换装置。
6. 电动汽车充电桩,满足快速充电需求。
SCT3040KLGC12, SCT3040KLGC13