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SCT3040KLGC11 发布时间 时间:2025/5/22 21:40:55 查看 阅读:3

SCT3040KLGC11 是一款基于硅 carbide(SiC)技术的 MOSFET 芯片,由知名半导体厂商生产。该器件主要应用于高效率、高频开关场景,例如新能源汽车、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等领域。其出色的性能来源于 SiC 材料的独特属性,具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:40A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  输入电容:1100pF
  最大工作温度:175°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

SCT3040KLGC11 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗并支持更高频率的操作。
  3. 高耐压设计,确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 支持高温操作,适用于严苛的工作条件。
  5. 内置反向恢复二极管,简化电路设计并提高整体性能。
  6. 使用 SiC 技术,相比传统硅基器件具有更高的效率和更小的体积。
  7. TO-247-4L 封装提供更好的散热性能和电气隔离能力。

应用

SCT3040KLGC11 广泛应用于以下领域:
  1. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换器。
  2. 光伏逆变器,用于将太阳能转化为可用电力。
  3. 工业电机驱动,提供高效能量转换。
  4. 不间断电源(UPS),确保关键设备的持续供电。
  5. 高频开关电源和各种功率转换装置。
  6. 电动汽车充电桩,满足快速充电需求。

替代型号

SCT3040KLGC12, SCT3040KLGC13

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SCT3040KLGC11参数

  • 现有数量1,304现货
  • 价格1 : ¥315.93000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)55A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)52 毫欧 @ 20A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.6V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)107 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1337 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)262W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247N
  • 封装/外壳TO-247-3