时间：2025/8/28 17:35:56
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IPAN60R360P7SXKSA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，采用CoolMOS?技术，适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优化的开关特性，适合用于服务器电源、通信电源、工业电源和适配器等高功率密度场合。
类型：功率MOSFET
材料：硅
最大漏极电压（VDS）：600 V
最大漏极电流（ID）：11 A
导通电阻（RDS(on)）：360 mΩ
栅极电荷（Qg）：43 nC
最大功耗（PD）：80 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PG-TO220-3-1
IPAN60R360P7SXKSA1 的核心特性之一是其基于CoolMOS?技术的高效率表现，能够在高频开关条件下实现较低的开关损耗和导通损耗，从而提高整体系统效率。
其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)）值，达到360 mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升负载能力。此外，优化的栅极电荷（Qg）设计使得其在高速开关应用中表现优异，减少开关过程中能量损耗。
该MOSFET的封装形式为PG-TO220-3-1，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。其工作温度范围为-55°C至150°C，表明其具有良好的环境适应性和可靠性。
IPAN60R360P7SXKSA1 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了器件在极端工作条件下的稳定性和安全性。该器件的封装和设计也支持快速安装和散热，便于系统设计者优化PCB布局。
IPAN60R360P7SXKSA1 主要应用于高效率电源系统，包括服务器电源、通信电源设备、工业自动化电源、不间断电源（UPS）、电池充电器和适配器等场合。
在服务器和通信电源系统中，该器件可以作为主开关或同步整流器使用，提供高效率和紧凑的设计方案。
在工业自动化领域，该MOSFET适用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块等关键电路部分，以提高整体系统的能效和稳定性。
此外，该器件也可用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备等新能源领域，为高可靠性电源系统提供强有力的支持。
由于其良好的热管理和高频特性，IPAN60R360P7SXKSA1 也适用于小型化和高功率密度设计需求，如笔记本电脑电源适配器、智能电表、LED照明驱动等应用。
IPA60R360P7S
