时间：2025/5/22 21:32:35
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IPA126N10N3G 是一款基于先进的 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET）。它专为需要高效能和低导通电阻的应用设计，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用 DPAK 封装形式，具有较高的电流处理能力和良好的热性能。
IPA126N10N3G 的额定电压为 100V，具备快速开关速度和较低的栅极电荷，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：126A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：48nC
总电容：2950pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IPA126N10N3G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗。
2. 高速开关性能，可实现更高的系统效率。
3. 较低的栅极电荷 (Qg)，减少了驱动功耗。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
5. 优异的雪崩耐量能力，提高了系统的可靠性。
6. 紧凑型封装，便于布局和散热设计。
7. 支持高频率操作，满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
IPA126N10N3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端和低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理及保护电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场景。
IPA120N10S3L
IPA120N10N3G
IRF1404
STP120NF10
