IP4001S. 时间：2025/9/2 0:54:35 阅读：9

IP4001S 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率电源管理应用，具备较低的导通电阻和优异的热性能，能够在高频开关条件下提供良好的性能。IP4001S 采用小型的 TSSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于空间受限的电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 VDS：40V
　　栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：1A
　　导通电阻 RDS(on)：最大 3.5Ω（@ VGS=10V）
　　栅极电荷 Qg：1.6nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSSOP

特性

IP4001S 是一款适用于中低功率开关应用的高性能 MOSFET。该器件的导通电阻较低，在 10V 栅极驱动电压下可实现高效的功率传输，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其采用的 TSSOP 封装不仅节省空间，还具有良好的热管理能力，适合在高密度 PCB 设计中使用。
　　此外，IP4001S 的栅极电荷（Qg）仅为 1.6nC，这使得其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗，提高整体系统响应速度。该器件的 VGS 阈值电压范围适中，通常在 1V 至 2.5V 之间，确保了在常见的数字控制电路中能够可靠地进行开关操作。
　　该 MOSFET 具有良好的抗静电性能和过温保护能力，使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行。IP4001S 的结构设计优化了其在高频率和高负载条件下的热稳定性，确保在连续工作状态下不会因过热而失效。

应用

IP4001S 常用于各种中低功率电子系统中，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关、LED 驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式设备电源控制以及工业自动化设备中的开关电路。由于其高频特性和低功耗特性，该器件也适用于开关电源（SMPS）和电机驱动控制电路。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中，IP4001S 被广泛用于电源路径管理、背光控制以及电池充电控制等关键功能模块。在工业控制领域，它可用于驱动继电器、传感器和小型电机等负载设备。此外，该 MOSFET 还适用于各种电源管理系统中的负载切换和保护电路，确保系统在异常情况下能够迅速切断电源，保护后续电路不受损坏。