时间：2025/7/24 18:47:34
阅读：13
IP2723TS 是一款由 Inchange Semiconductor 推出的双N沟道增强型功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用先进的高压MOSFET制造工艺，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够有效提高系统的能效并减少热量产生。IP2723TS 的封装形式通常为DFN5x6或DFN3x3等小型化表面贴装封装，适用于高密度电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A（单通道）
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：3.6W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN5x6/DFN3x3
IP2723TS 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其双通道设计允许两个MOSFET独立工作，适用于同步整流、H桥驱动、负载开关等多种应用。该器件支持高达±20V的栅极电压，具有良好的栅极电压容限，增强了在高频开关应用中的稳定性。
此外，IP2723TS 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。其封装形式采用低电感设计，有助于减少开关过程中的振铃现象，提升系统的EMI性能。该芯片还内置了ESD保护功能，增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
IP2723TS 的低Qg（栅极电荷）特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路等。其高电流承载能力和低功耗设计，使其成为工业控制、消费类电子、通信设备和汽车电子中理想的功率开关器件。
IP2723TS 常用于各类电源管理电路中，例如同步降压/升压转换器、DC-DC转换模块、电源适配器、电池充电管理电路、电机驱动器、LED驱动电路以及负载开关控制等。由于其优异的导通性能和高频响应能力，也适用于需要高效能和高稳定性的工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中。
Si2302DS, AO4406A, IRF7404, FDS6675
