IP2705 是一款由Inchange Semiconductor设计的N沟道功率MOSFET,适用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合用于电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。IP2705 采用TO-220AB封装,具备良好的热管理和电气性能,确保在高负载条件下稳定运行。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):7A(@25℃)
功耗(Ptot):40W
工作温度范围:-55℃~150℃
封装类型:TO-220AB
导通电阻(Rds(on)):最大1.2Ω(@Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):约26nC
上升时间(tr):约60ns
下降时间(tf):约30ns
IP2705 是一款高性能功率MOSFET,其主要特性包括高击穿电压(600V),可承受较高的开关电压应力,适用于多种电源管理和功率转换电路。该器件采用了先进的平面技术,具有优良的导通特性和快速的开关性能,从而降低了开关损耗并提高了系统效率。
此外,IP2705 的低导通电阻(Rds(on))在1.2Ω以下,使得在导通状态下的功率损耗最小化,从而提高了整体系统的能效。栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动电路的能量消耗,并加快开关速度。
该MOSFET还具备良好的热稳定性,在高功率操作下能够保持较低的温升。其TO-220AB封装形式具有良好的散热能力,能够适应较为恶劣的工作环境,确保长期运行的可靠性。
IP2705 主要应用于各种高功率电子设备中,如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器以及工业自动化设备中的开关电源模块。此外,它还可以用于电池充电器、UPS不间断电源系统、逆变器以及家用电器中的高效能电源管理电路。
由于其高耐压和快速开关特性,IP2705 也广泛用于电力电子变换器和功率因数校正(PFC)电路中,适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
IPF70N250C STP7NK60Z STP7NK60ZFP STP7NK60ZT4