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BUK7277-55A,118 发布时间 时间:2025/9/14 19:16:40 查看 阅读:9

BUK7277-55A,118 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率和低导通损耗的场合。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具备低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能,适用于开关电源(SMPS)、电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器等领域。该MOSFET采用D2PAK(TO-263)封装,便于散热和集成。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):55V
  最大漏极电流(ID):180A(在TC=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值100nC
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)
  最大耗散功率(PD):250W
  漏极-源极击穿电压:55V
  栅极-源极电压范围:±20V

特性

BUK7277-55A,118具有多项卓越的电气和热性能特点。首先,其低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中实现极低的导通损耗,从而提高整体系统效率。
  其次,该器件采用TrenchMOS技术,使沟道密度最大化,从而在有限的芯片面积内提供更高的电流承载能力。
  此外,该MOSFET具备优异的热稳定性,工作温度范围宽达-55°C至+175°C,适用于高温和恶劣环境应用。
  其高耐压能力(55V)和大额定电流(180A)使其在高功率负载条件下仍能保持稳定运行。
  同时,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗,提高高频应用中的性能。
  最后,D2PAK封装提供了良好的热管理能力,确保在高功耗下仍能有效散热。

应用

BUK7277-55A,118适用于多种高功率和高效率要求的电子系统。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统(BMS)等。
  在电源管理系统中,该MOSFET可用于同步整流器和功率因数校正(PFC)电路,提高能量转换效率。
  在工业控制和自动化设备中,该器件可作为高电流负载的开关元件,实现精确的电机控制和电源管理。
  此外,BUK7277-55A,118也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、启动器控制电路和电动助力转向系统(EPS)等。
  其优异的导通特性和热稳定性也使其成为太阳能逆变器和储能系统中的理想选择。
  在服务器和通信设备的电源模块中,该MOSFET能够提供高效的能量转换和稳定的输出性能。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, IRF1405PBF, FDP180N06A0, BSC050N06NS5

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BUK7277-55A,118参数

  • 标准包装1
  • 类别未定义的类别
  • 家庭未定义的系列
  • 系列*
  • 其它名称568-9643-6