时间：2025/4/27 8:44:51
阅读：24
INT1400CQZ-TR 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少系统损耗。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装应用，同时具备较高的电流承载能力和耐热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
开关时间：ton=18ns, toff=17ns
工作温度范围：-55℃至175℃
INT1400CQZ-TR 提供了出色的电气性能和可靠性，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，便于高密度 PCB 布局。
5. 支持高温环境运行，满足工业及汽车级应用需求。
该功率 MOSFET 可用于多种电子设备中，具体应用包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
IRLZ44N, FDP5500, AO3400A
