INN3865C-H801-TL 是一款由 Power Integrations 公司生产的集成离线式反激变换器芯片,属于其 InnoSwitch?3 系列产品线。该芯片专为高性能、高效率的开关电源设计而开发,集成了高压功率 MOSFET、次级侧同步整流控制器以及初级侧控制器,支持多种输入电压范围。该器件采用先进的数字控制技术,具有高集成度、高效率和低待机功耗的特点,广泛应用于工业电源、适配器、充电器、LED 照明驱动电源等场合。
拓扑结构:反激式拓扑
集成功率 MOSFET:集成 800V MOSFET
输出功率:最高可达 65W
输入电压范围:85VAC 至 265VAC
工作频率:可变频率
效率等级:符合 CoC Tier 2 和 DoE Level VI 能效标准
封装类型:InSOP-24D
控制方式:准谐振(QR)和 DCM 控制
输出调节方式:恒压(CV)/恒流(CC)模式
保护功能:过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、过温保护(OTP)等
INN3865C-H801-TL 具有高度集成的特点,内部集成了初级控制器、同步整流控制器以及高压 MOSFET,大大简化了外围电路设计,减少了元器件数量,提高了系统可靠性。
该芯片支持准谐振(QR)和不连续导通模式(DCM)工作模式,能够在宽负载范围内实现高效能运行,并有效降低电磁干扰(EMI)。
其数字控制架构支持精确的输出电压和电流调节,具备动态响应快、负载调整率高的优势,适用于多种负载变化较大的应用场景。
芯片内置完善的保护机制,包括过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)和过热保护(OTP),提升了系统的安全性和稳定性。
此外,INN3865C-H801-TL 支持轻载和空载条件下的高效运行,具有极低的待机功耗,满足现代能效标准如 CoC Tier 2 和 DoE Level VI 的要求,适用于环保节能型电源设计。
其采用的 InSOP-24D 封装具备良好的热性能和电气隔离能力,适用于高密度、小体积的电源设计需求。
INN3865C-H801-TL 广泛应用于各种中高功率的开关电源设计中,如笔记本电脑适配器、USB PD 充电器、工业电源模块、LED 照明驱动电源、智能家居设备电源、物联网设备供电系统等。
由于其具备高集成度、高效率和出色的保护功能,特别适用于对体积、效率和可靠性要求较高的应用场合。
该芯片还支持宽输入电压范围,适用于全球范围内的交流电网输入,适合用于出口型电子产品或需要适应多种电压环境的设备电源设计。
此外,INN3865C-H801-TL 的数字控制架构和同步整流技术使其在高性能电源转换系统中表现出色,适合用于需要高精度输出调节和动态响应的应用场景,如服务器电源、测试仪器、医疗设备电源等。
UCC28910, NCP1380, LNK6766, MPX2001, FSQ0365