时间：2025/8/6 20:05:56
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INN3679C-H605-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款集成式离线反激式开关电源控制器芯片，属于 InnoSwitch?3 系列的产品之一。该芯片集成了高压功率 MOSFET、初级侧控制器、次级侧同步整流控制器以及反馈机制，采用 PowiGaN? 技术，适用于高效率、小体积的电源适配器、充电器等应用。该型号支持高达 65W 的输出功率，并具备出色的能效和热性能。
封装类型：InSOP-24D
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
最大输出功率：65W
开关频率：约 90kHz 至 140kHz
输入电压范围：85VAC 至 265VAC
集成MOSFET耐压：725V
效率：>94%
保护功能：过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输入欠压保护(UVLO)
INN3679C-H605-TL 具备多项先进特性，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，它采用 PowiGaN? 技术，将氮化镓(GaN)功率器件与控制器集成在一起，显著提高了开关效率并减少了系统损耗，从而实现了更高的功率密度。其次，该芯片支持初级侧感应控制，无需传统的光耦合器和次级侧控制器，简化了设计并提高了可靠性。
此外，INN3679C-H605-TL 集成了全面的保护功能，包括过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)以及输入欠压保护(UVLO)，确保系统在各种异常情况下都能安全运行。芯片还支持自动恢复模式，进一步增强了系统的鲁棒性。
在散热设计方面，该芯片采用了增强型散热封装技术，使得在高负载条件下也能保持较低的工作温度，延长了产品的使用寿命。同时，其内置的同步整流控制器可显著降低次级整流损耗，提高整体转换效率，特别适合用于USB PD、QC等高要求的快充应用场景。
INN3679C-H605-TL 主要应用于各种高效率、高集成度的开关电源设计中，例如笔记本电脑适配器、USB PD 充电器、智能手机快充头、工业控制电源、智能家电电源模块以及物联网设备供电单元。其高集成度和优异的能效表现使其成为替代传统多芯片电源方案的理想选择，尤其适用于需要紧凑设计和高效能表现的消费类电子和工业类产品。
由于其支持宽输入电压范围（85VAC 至 265VAC），该芯片在全球范围内均可使用，无需额外的输入电压选择开关。此外，其出色的动态响应能力和低待机功耗特性，也使其非常适合用于绿色能源和节能型电子产品中。
INN3678C-H605-TL, INN3677C-H605-TL
