VNS3NV04DPTR-E 时间：2025/6/23 22:40:50 阅读：2

VNS3NV04DPTR-E 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率、低功耗应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具备极低的导通电阻和优秀的开关性能，广泛适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

型号：VNS3NV04DPTR-E
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-263-3 (DPAK)
　　VDS（漏源极电压）：40V
　　RDS(on)（导通电阻）：8.5mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　ID（连续漏极电流）：27A
　　f（工作频率）：高达 1MHz
　　VGS（栅源极电压）：±20V
　　Qg（栅极电荷）：11nC
　　VGSS（栅源电压范围）：±20V
　　结温范围：-55°C 至 +175°C

特性

VNS3NV04DPTR-E 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，这使其能够在高电流条件下维持较低的功率损耗，提高系统效率。
　　同时，其快速开关特性和低栅极电荷 Qg 能够有效降低开关损耗，非常适合高频开关应用。
　　此外，该器件采用了 TO-263-3 封装形式，具有良好的散热性能，便于在紧凑型设计中使用。
　　其高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性，确保在异常工作条件下的可靠性。
　　由于其出色的电气性能和热性能，VNS3NV04DPTR-E 成为许多高效能电源转换电路的理想选择。

应用

VNS3NV04DPTR-E 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 电池保护及负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制。
　　6. 汽车电子中的负载切换和逆变器应用。
　　该器件凭借其高效的开关能力和强大的电流处理能力，在需要高效率和可靠性的应用中表现出色。