INN3674C-H601-TL 是一款由 Power Integrations 公司推出的集成式离线反激式开关电源控制器芯片,属于 InnoSwitch?3 系列。该芯片采用了 PowiGaN 技术,集成了高压 GaN 开关和同步整流控制器,具有高效、高功率密度和低功耗的特点。该器件适用于高效率电源适配器、充电器、工业电源等应用场合。
拓扑结构:反激式拓扑
输入电压范围:90VAC ~ 308VAC(宽输入)
输出功率:最高可达 75W(具体取决于设计)
开关频率:约 100kHz
控制器类型:PWM 反激控制器
集成开关类型:GaN(PowiGaN)开关
封装类型:InSOP-24D
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
输出调节方式:次级侧调节(SSR)或初级侧调节(PSR)可选
最大占空比:70%
保护功能:过温保护、过流保护、短路保护、输入欠压保护
INN3674C-H601-TL 具备多项先进的电源管理特性,适用于高性能开关电源设计。
首先,该芯片采用了 PowiGaN 技术,将高压氮化镓(GaN)开关集成在芯片内部,显著提高了电源转换效率,并降低了开关损耗。这使得电源设计可以实现更高的功率密度和更小的体积,适用于紧凑型充电器和适配器应用。
其次,该芯片支持初级侧感应(PSR)和次级侧感应(SSR)两种反馈方式,提供了灵活的设计选项。PSR 模式下无需光耦和次级控制器,简化了电路设计并降低了成本,而 SSR 模式则可提供更高的输出精度和响应速度。
此外,INN3674C-H601-TL 集成了同步整流控制器,能够有效驱动外部同步整流 MOSFET,进一步提升整机效率,尤其是在低压大电流输出应用中表现优异。该芯片还内置了多种保护功能,包括过温保护(OTP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、输入欠压保护(UVLO)等,确保系统在异常情况下的安全运行。
在效率方面,INN3674C-H601-TL 支持高达 95% 以上的转换效率,符合全球能效标准(如 DOE Level VI、CoC Tier 2 等),适用于环保节能型电源产品设计。
最后,该芯片采用 InSOP-24D 封装,具有良好的热性能和电气隔离能力,适用于高可靠性工业和消费类应用。
INN3674C-H601-TL 广泛应用于各类高效离线开关电源设计中,特别适用于以下领域:
首先是消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的充电器和适配器,因其高效率和小体积设计特点,适合现代便携设备的充电需求。
其次,该芯片也适用于工业控制电源、LED 驱动电源、智能家电电源模块等对效率和可靠性要求较高的场合。
此外,INN3674C-H601-TL 也适用于多路输出电源系统,通过次级侧调节实现精准的电压和电流控制,满足复杂系统的供电需求。
由于其高集成度和易用性,该芯片非常适合用于简化电源设计,降低研发周期和成本,同时提升产品的市场竞争力。
INN3674C-H601-TL 的替代型号包括 INN3674CH601 和 INN3673C-H601-TL。