时间：2025/8/6 15:51:31
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INN3163C-H113-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款集成式离线反激式开关电源（Flyback Switcher）IC，属于该公司 InnoSwitch?3 系列产品之一。该芯片集成了高压功率 MOSFET、次级侧同步整流控制器和反馈机制，采用 PowiGaN? 技术，具备高效率和高集成度的特点。该器件适用于高密度电源适配器、充电器、工业电源以及家电等应用。INN3163C-H113-TL 采用表面贴装封装（SMD），便于自动化生产。
功率类型：离线反激式开关电源控制器
集成MOSFET：是
功率MOSFET耐压：725V
输出功率范围：典型15-65W
拓扑结构：反激式
控制方式：准谐振反激控制器
频率范围：45kHz至100kHz
封装类型：InSOP-24D
工作温度范围：-40°C至150°C
输入电压范围：宽输入范围，支持80VAC至400VDC
输出调节方式：同步整流与次级反馈
能效等级：满足CoC Tier-2和DoE Level VI能效标准
INN3163C-H113-TL 具备多项先进特性，使其在多种电源应用中表现出色。首先，该器件集成了高压功率 MOSFET（耐压高达 725V）和同步整流控制器，显著减少了外部元件数量，降低了设计复杂度并提高了系统可靠性。其次，采用 Power Integrations 独有的 FluxLink? 技术，实现初级和次级之间的数字反馈通信，无需光耦即可实现高精度输出电压调节，并具备出色的动态响应性能。
此外，INN3163C-H113-TL 使用 PowiGaN? 技术，提供高效的功率转换，支持高频开关操作，从而减小变压器尺寸，提升功率密度。其准谐振（Quasi-Resonant）控制模式降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），使设计更易于通过EMI认证。
该芯片内置多种保护功能，包括输入欠压保护、输出过压保护、过流保护、过热保护以及自动重试功能，确保在各种异常条件下系统的安全运行。同时，其支持轻载和空载下的高效运行，降低了待机功耗，符合现代能效标准如 CoC Tier-2 和 DoE Level VI。
INN3163C-H113-TL 的封装采用 InSOP-24D 高密度表面贴装形式，具有良好的散热性能，适用于高密度、高性能的电源适配器和充电器设计。
INN3163C-H113-TL 适用于多种中低功率的离线电源应用，包括但不限于：智能手机和笔记本电脑的充电器、USB PD 电源适配器、智能家居设备电源、工业传感器和控制系统电源、LED 照明驱动器、医疗设备电源模块以及家电内部电源系统。其高集成度和高效能特性使其成为追求紧凑设计和高性能电源解决方案的理想选择。
INN3164C-H113-TL, INN3162C-H113-TL, UCC28910, LNK6766
