INN2605K 时间：2025/8/7 14:30:28 阅读：31

INN2605K是Infineon Technologies（英飞凌）推出的一款高性能、集成式高压开关IC，专为离线式反激变换器应用而设计。该芯片内部集成了一个700V的CoolMOS?功率MOSFET，并采用专有的多模式控制技术，包括准谐振（QR）模式和脉冲频率调制（PFM）模式，以提高能效并降低待机功耗。INN2605K适用于充电器、适配器、家电电源、工业电源等多种应用，具有高集成度、低功耗和高可靠性等优势。

参数

工作电压范围：85VAC ~ 265VAC
　　输出功率范围：高达约30W（根据设计）
　　集成MOSFET耐压：700V
　　最大输出电流：根据外部反馈设置
　　开关频率：可变频率（准谐振/脉冲频率调制）
　　待机功耗：<30mW
　　封装类型：DIP-7
　　工作温度范围：-40°C ~ +105°C
　　保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、反馈开路保护

特性

INN2605K的主要特性在于其高度集成和智能化的控制架构，显著减少了外围元件数量，降低了设计复杂度并提升了系统可靠性。该芯片采用专有的准谐振控制技术，使功率MOSFET在电压谷值处导通，从而有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。此外，INN2605K支持多模式运行，可在不同负载条件下自动切换至最合适的控制方式，如轻载或空载时切换到脉冲频率调制（PFM）模式，从而实现超低待机功耗。芯片还内置了多种保护机制，包括过载保护、过压保护、过温保护以及反馈开路保护等，确保系统在异常情况下也能安全运行。
　　此外，INN2605K采用了优化的启动电路设计，使得芯片能够在冷启动时快速建立电压，缩短启动时间。其内置的高压启动电流源可确保在无外部偏置电源的情况下稳定启动。该芯片的封装形式为DIP-7，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适用于紧凑型电源设计。同时，INN2605K符合全球能效标准，如CoC Tier 2和DoE Level VI，适用于对能效要求严格的绿色能源应用。

应用

INN2605K广泛应用于多种中小型功率的电源系统中，例如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、智能家电电源、工业传感器电源、LED照明驱动电源等。由于其高集成度和出色的能效表现，特别适合用于需要高可靠性和紧凑结构的便携式设备电源设计。此外，在工业控制和自动化设备中，INN2605K也被用于构建小型隔离式电源模块，以提供稳定的DC-DC转换输入。