时间：2025/8/25 4:05:56
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D45VM7是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类型。这款器件设计用于高功率应用，具有较高的电流和电压处理能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业设备。D45VM7的封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装，以确保在高负载条件下的散热性能。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（Vds）：45V
连续漏极电流（Id）：7A
导通电阻（Rds(on)）：约0.35Ω（典型值）
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
D45VM7具备多项优良特性，使其适用于各种高功率电子系统。首先，其45V的漏源电压允许该器件在中高压应用中稳定工作，例如在电池管理系统或电机驱动电路中。其次，7A的连续漏极电流能力确保其能够处理较高的负载，适用于需要较高功率输出的设计。D45VM7的导通电阻（Rds(on)）约为0.35Ω，这一较低的电阻值有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。
此外，该器件的TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。D45VM7的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在各种环境条件下可靠运行，包括高温工业环境和低温户外设备。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了其在关键应用中的稳定性与安全性。
D45VM7广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效功率控制的场合。例如，它常用于DC-DC转换器中作为开关元件，以提高电源转换效率。在电机驱动电路中，D45VM7可以作为H桥结构的一部分，实现对电机方向和速度的精确控制。该器件还被用于电池充电器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及各类工业自动化设备中的功率开关。
IRFZ44N, FDP3632, STP75NF75
