您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMN30XPX

PMN30XPX 发布时间 时间:2025/9/14 22:26:05 查看 阅读:17

PMN30XPX 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高性能电源管理应用而设计,具备低导通电阻、高可靠性和紧凑封装等优点,适用于负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备等场景。PMN30XPX 采用先进的 Trench 工艺制造,确保了在低电压驱动条件下的高效运行。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):-3A
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):50mΩ @ VGS = -10V;75mΩ @ VGS = -4.5V
  栅极电荷(Qg):8.5nC @ VGS = -10V
  功率耗散(PD):2.1W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-223

特性

PMN30XPX 具备多项关键特性,使其在众多电源管理应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。在 VGS = -10V 时,RDS(on) 仅为 50mΩ,适用于高效率开关应用。
  其次,该器件支持较宽的栅极电压范围(±20V),确保了与多种驱动电路的兼容性,同时具备良好的抗过压能力。
  此外,PMN30XPX 采用 SOT-223 封装,具有较高的功率密度和散热性能,适合空间受限的设计。其热阻(Rth(j-a))为 60°C/W,能够在中等功率应用中保持良好的热稳定性。
  该器件还具备卓越的雪崩能量承受能力,提高了在高应力工作条件下的可靠性,适用于工业和汽车电子等对稳定性要求较高的环境。
  最后,PMN30XPX 的栅极电荷较低(仅 8.5nC),有助于减少开关损耗,从而提升高频开关应用的性能。

应用

PMN30XPX 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 负载开关电路:用于控制电源分配,提供低损耗和高可靠性的开关功能。
  2. 同步整流器:在 DC-DC 转换器中作为整流元件,提高转换效率。
  3. 电池供电设备:如便携式电子产品、笔记本电脑和移动电源,用于高效管理电池能量输出。
  4. 电机控制:适用于小型电机驱动电路中的功率开关元件。
  5. 工业控制系统:作为高可靠性开关元件,用于自动化设备和电源管理系统。
  6. 通信设备:用于电信和网络设备中的电源管理模块,确保稳定高效的运行。

替代型号

Si4435DY, IRML6401, AO4406A

PMN30XPX推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMN30XPX参数

  • 现有数量77,105现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥1.10186卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)34 毫欧 @ 5.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1575 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)550mW(Ta),6.25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457