类型：半桥MOSFET驱动器
　　封装类型：SOIC-16
　　电源电压范围：9.5V 至 20V
　　输出电流（峰值）：1.2A（拉电流/灌电流）
　　传播延迟：约80ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS
　　高侧和低侧驱动器共模瞬态抗扰度（CMTI）：大于100V/ns
　　栅极驱动电压范围：4.5V 至 20V

INK0012AC1具有多项高性能特性，使其适用于高要求的功率电子系统。该器件内置了高侧和低侧驱动器，支持宽范围的电源电压输入，适用于多种功率MOSFET的驱动需求。其高驱动电流能力（1.2A峰值电流）确保MOSFET能够快速导通和关断，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　芯片具备强大的抗干扰能力，共模瞬态抗扰度（CMTI）超过100V/ns，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。此外，INK0012AC1采用了先进的电平转换技术，使得高侧MOSFET可以在浮动电压下正常工作，特别适用于桥式拓扑结构中的功率开关控制。
　　该驱动器还集成了欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时，驱动器输出将被禁用，以防止MOSFET在非理想条件下工作，从而提高系统的可靠性和安全性。此外，其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，便于与各种控制器连接。
　　INK0012AC1采用SOIC-16封装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型设计。其工作温度范围为-40°C至+125°C，适合在工业级环境中使用。

INK0012AC1广泛应用于需要高效功率转换的系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及各类工业电源设备。其高驱动能力和抗干扰特性使其特别适合用于高频率、高效率的开关电路中。
　　在电机控制应用中，INK0012AC1可用于驱动H桥电路中的N沟道MOSFET，实现对直流电机或步进电机的双向控制。在电源管理系统中，该驱动器可配合控制器实现高效的功率因数校正（PFC）和同步整流功能。
　　此外，该芯片也适用于高频谐振变换器和LLC转换器等拓扑结构，帮助实现软开关操作，进一步降低开关损耗并提高系统效率。

IR2104S, HIP2103, LM5101B