RFSW8006QTR7 是一款由 Qorvo 公司推出的高性能射频开关(RF Switch),采用 TQFN 封装,专为高频率应用设计,适用于无线基础设施、测试设备以及通信系统等领域。该器件具有低插入损耗、高隔离度和优异的线性性能,支持多种频段的操作,非常适合要求严苛的射频环境。
工作频率范围:50 MHz 至 4 GHz
插入损耗:典型值 0.35 dB(频率范围内)
隔离度:典型值 40 dB(频率范围内)
回波损耗:典型值 25 dB
VSWR:1.25:1
控制电压:1.8V 至 3.3V 兼容
封装类型:TQFN
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RFSW8006QTR7 采用先进的 GaAs pHEMT 工艺制造,具备出色的射频性能和稳定性。其低插入损耗和高隔离度特性确保了在高频应用中信号的完整性和系统的高效运行。该器件支持 1.8V 至 3.3V 的宽电压控制范围,使其能够与多种数字控制器兼容。此外,TQFN 封装提供了较小的尺寸和良好的热性能,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
RFSW8006QTR7 的高线性度和优异的三阶交调截点(IP3)表现使其能够承受较大的射频信号功率,适用于多频段和宽带应用。该开关还具有快速切换时间,通常小于 100 ns,满足高速射频信号路由的需求。器件内部集成了控制逻辑,简化了外部电路设计,并降低了功耗。
RFSW8006QTR7 常用于无线基站、测试测量设备、雷达系统、通信收发器以及多频段射频前端模块。其优异的性能使其成为 LTE、5G、Wi-Fi 6 和毫米波通信等高要求应用的理想选择。
HMC649ALP3E, PE4259, SKY13417-375LF