INA-12063-TR1G 是一款由 California Eastern Laboratories(CEL)生产的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于无线通信系统中。该芯片基于砷化镓(GaAs)工艺制造,具有优异的高频性能和稳定性。INA-12063-TR1G 采用伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术,适用于需要高增益、低噪声和良好线性度的应用场景。
工作频率范围:1.8 GHz - 2.2 GHz
增益:约 18 dB
噪声系数:约 0.45 dB
输出IP3:约 26 dBm
电源电压:通常为 5V
电流消耗:约 50 mA
封装类型:SOT-89
INA-12063-TR1G 是一款专为高性能无线通信系统设计的低噪声放大器。该器件基于 GaAs pHEMT 技术,能够在 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围内提供稳定的性能。其噪声系数低至 0.45 dB,确保了信号的高清晰度,适用于接收器前端的放大应用。
INA-12063-TR1G 的典型增益为 18 dB,输出三阶交调点(IP3)达到 26 dBm,具备良好的线性度和抗干扰能力,适用于高要求的通信系统,如蜂窝基站、无线本地环路和卫星通信设备。
此外,该芯片的电源电压为 5V,典型工作电流为 50 mA,具有较高的能效。SOT-89 封装形式使得该器件易于集成在射频电路板中,适用于表面贴装工艺,提高了设计的灵活性和生产效率。
INA-12063-TR1G 还具有良好的温度稳定性,在 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围内能够保持稳定的性能,适用于各种严苛环境条件下的应用。
该芯片广泛应用于无线基础设施,包括蜂窝基站、无线接入网络、卫星通信系统、测试仪器和射频接收机前端。其优异的噪声性能和高线性度使其成为高灵敏度接收机的理想选择。
HMC414, ATF-54143, BGA2870