类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-0.76A
　　脉冲漏极电流（ID_pulse）：-1.5A
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻RDS(on)：-0.28Ω @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：-0.36Ω @ VGS = -2.5V
　　阈值电压VGS(th)：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：79pF
　　输出电容（Coss）：47pF
　　反向传输电容（Crss）：10pF
　　开启时间（Ton）：8ns
　　关闭时间（Toff）：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)

IMZ4 T108的电气特性表现出色，尤其在低电压开关应用中展现出优异的性能。其最大漏源电压为-20V，能够满足大多数低压直流系统的使用需求，例如单节锂电池供电设备或3.3V/5V电源轨控制。连续漏极电流可达-0.76A，足以驱动中小型负载如LED指示灯、传感器模块或小型继电器驱动电路。该器件的关键参数之一是导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时典型值仅为-0.28Ω，而在更低的VGS = -2.5V条件下也能维持在-0.36Ω左右，这表明它可以在较宽的栅极驱动电压范围内保持较低的导通损耗，从而提升整体能效。
　　该MOSFET的阈值电压VGS(th)范围为-0.8V至-1.5V，属于典型的增强型P沟道器件，确保在未施加栅极信号时处于关断状态，避免意外导通带来的安全隐患。这一特性使其非常适合用于逻辑控制开关，尤其是在微控制器I/O直接驱动的应用中，无需额外的电平转换电路即可实现有效控制。同时，其输入电容仅为79pF，配合较小的输出电容（47pF）和反向传输电容（10pF），使得开关速度较快，开启时间约8ns，关闭时间约18ns，有利于减少开关过程中的能量损耗，提高高频切换下的响应能力。
　　热性能方面，IMZ4 T108能够在-55°C到+150°C的工作结温范围内稳定运行，具备良好的高温耐受能力，适用于各种严苛环境下的电子系统。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，还具备一定的散热能力，可通过PCB焊盘进行一定程度的热量传导。此外，该器件具有出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定保护，增强了系统的鲁棒性。总体来看，IMZ4 T108凭借其低导通电阻、快速响应、稳定的阈值特性和紧凑封装，成为现代低功耗、小型化电子产品中不可或缺的核心元件之一。

IMZ4 T108广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。在这些设备中，该MOSFET可用于启用或禁用特定功能模块的供电，以实现节能待机模式或动态电源分配。此外，它也常用于电池供电系统的反向极性保护电路，防止因电池误插导致的设备损坏。
　　在工业控制与通信设备中，IMZ4 T108可用于信号切换、电平转换以及I/O端口保护。其快速开关特性使其适用于数字信号通断控制，例如在多路复用器或总线隔离电路中作为电子开关使用。同时，由于其支持低电压驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，简化电路设计并节省外围元件成本。
　　该器件还可用于LED驱动电路中，特别是在需要调光或分组控制的场合。通过PWM信号控制IMZ4 T108的导通与关断，可以实现精确的亮度调节，同时其低导通电阻减少了发热问题，提高了系统可靠性。此外，在DC-DC转换器或LDO稳压器的辅助电路中，该MOSFET可用于实现软启动、使能控制或冗余电源切换等功能。
　　由于其符合RoHS标准且为无铅产品，IMZ4 T108也适用于对环保要求较高的医疗设备、智能家居终端以及汽车电子中的非动力系统模块。总之，该器件凭借其高集成度、低功耗和高可靠性的特点，在现代电子设计中扮演着重要角色。

DMG2302UK-7
　　NSS20100MZ4T1G
　　AOZ4238PI