时间：2025/5/22 0:03:21
阅读：7
BUK7608-55A是由安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，广泛应用于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
BUK7608-55A采用TO-263封装形式（DPAK），适合表面贴装应用。其高效率和可靠性使其成为众多电力电子设计中的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：19mΩ
栅极电荷：16nC
总电容：1150pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263
BUK7608-55A具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，从而减小外部元件体积并优化电路布局。
3. 高雪崩能量能力，增强了在异常条件下工作的鲁棒性。
4. 具备卓越的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 小型化表面贴装封装，便于自动化生产和集成到紧凑型设计中。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动控制，如步进电机或无刷直流电机。
3. 负载开关和保护电路中的关键组件。
4. 工业设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
6. LED驱动器和电池充电管理系统。
BUK7Y1R8-55A, BUK7P1R8-55A
