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GA0603Y182MBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:36:12 查看 阅读:7

GA0603Y182MBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该器件适用于高效率电源转换和电机驱动等应用领域,具有较低的导通电阻和出色的开关性能。其封装形式为TO-252(DPAK),能够有效提升系统的整体能效并降低热损耗。
  该功率MOSFET主要面向工业控制、消费电子及汽车电子等领域的应用,支持高频开关操作,同时具备较强的电流承载能力。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:1.8mΩ
  总栅极电荷:76nC
  输入电容:1690pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA0603Y182MBBAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量承受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  3. 快速开关速度和优化的栅极电荷设计,适合高频应用环境。
  4. 强大的电流承载能力,使其能够胜任大功率场景下的任务需求。
  5. 封装紧凑且散热性能优异,可适应多种电路布局需求。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,适合长期使用。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和DC-DC转换。
  2. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电动机控制。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统,如车载充电器、LED驱动器以及电池管理系统(BMS)。
  5. 消费类电子产品中的高效电源适配器和快充解决方案。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP15U20AE

GA0603Y182MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-