时间：2025/12/23 21:54:32
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IMZ120R030M1H是由知名半导体制造商Infineon（英飞凌）推出的一款MOSFET功率晶体管，采用TOLL封装形式。这款器件主要针对工业和汽车应用中的高效率功率转换场景设计，具备极低的导通电阻和优异的开关性能。其内部采用了先进的超结（Super-Junction）技术，能够显著降低功率损耗并提高系统的整体能效。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：120A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：98nC
总热阻：0.15°C/W
工作温度范围：-55°C至175°C
IMZ120R030M1H采用了英飞凌OptiMOS 5代技术，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高负载条件下减少功率损耗。
2. 超低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），从而实现更快的开关速度，并降低开关损耗。
3. 内置体二极管，支持高效的续流操作。
4. 高雪崩击穿能力和强健的短路耐受能力，提升了系统在异常情况下的可靠性。
5. 符合AEC-Q101标准，适用于恶劣环境下的汽车级应用。
6. 封装紧凑且散热性能优越，适合高功率密度的设计需求。
IMZ120R030M1H广泛应用于各类需要高效功率转换的场景中，包括但不限于：
1. 汽车领域中的DC/DC转换器、车载充电器（OBC）、电机驱动控制器等。
2. 工业领域的不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备以及伺服驱动系统。
3. 开关模式电源（SMPS）和各种功率适配器。
4. 高效的PFC（功率因数校正）电路。
由于其卓越的性能和可靠性，该器件特别适合对效率和热管理要求严格的场合。
IMZ120R040M1H
IMZ120R050M1H
