存储容量：3900MB
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：ONFI 2.0
　　最大读取速度：30MB/s
　　最大写入速度：25MB/s
　　擦写周期：10000次
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　电源电压：2.7V 至 3.6V
　　存储技术：NAND Flash
　　数据保留时间：10年

80USC3900M30X35 具备多项显著特性，使其在复杂的存储环境中表现出色。首先，该芯片采用了NAND闪存技术，提供高达3900MB的存储容量，适合处理大量数据的应用。其接口支持ONFI 2.0标准，确保了与主控芯片之间的高效通信。
　　其次，该芯片的读取速度可达30MB/s，写入速度为25MB/s，满足大多数嵌入式系统和工业设备对数据传输速度的需求。同时，该芯片支持高达10000次的擦写周期，具备良好的耐用性，能够长时间稳定运行。
　　在电源管理方面，80USC3900M30X35支持2.7V至3.6V的宽电压范围，使其能够在不同的电源环境下稳定工作，适用于电池供电设备和低功耗应用场景。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在恶劣的工业环境中使用。
　　为了确保数据的长期可靠性，该芯片具备10年的数据保留能力，即使在断电情况下也能保证数据不丢失。这些特性使得80USC3900M30X35成为一款适用于多种高性能存储需求的可靠存储解决方案。

80USC3900M30X35 广泛应用于多种需要高性能存储的电子设备中。在工业自动化领域，它可用于PLC控制器、数据采集系统和工业计算机，以存储程序代码、配置数据和历史记录。在消费电子产品中，该芯片可作为固态存储器，用于数码相机、便携式媒体播放器和智能家电，提供快速的数据读写能力和稳定的数据存储性能。
　　此外，80USC3900M30X35 也可用于嵌入式系统和物联网设备，如智能电表、安防监控设备和车载信息娱乐系统。其宽电压和宽温度范围使其能够在各种环境条件下可靠运行，满足工业级和汽车级应用的需求。
　　由于其较高的耐用性和数据保留能力，该芯片也适用于需要频繁读写操作的设备，例如POS终端、工业级平板电脑和医疗电子设备。总之，80USC3900M30X35 是一款多功能、高可靠性的存储芯片，能够满足从消费类到工业级应用的广泛需求。

K9F5608U0C, HY27US08561A