时间：2025/5/9 9:33:30
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IMW65R048M1HXKSA1 是一款由知名半导体制造商 Infineon（英飞凌）生产的 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于 OptiMOS 系列，具有低导通电阻和高开关效率的特点。其设计适用于工业、汽车和消费电子领域中的功率转换应用。这款 MOSFET 采用 TO-Leadless 封装形式，具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：65V
最大连续漏电流：48A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：93nC
开关速度：快速
封装类型：TO-Leadless (H7x7)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IMW65R048M1HXKSA1 的主要特点是低导通电阻和高效率。其导通电阻仅为 1.2mΩ，能够显著降低功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，进一步减少开关损耗。
该 MOSFET 采用了先进的制造工艺，确保了在高电流和高电压条件下的稳定运行。同时，TO-Leadless 封装形式不仅提高了散热性能，还减少了寄生电感的影响，非常适合高频开关应用。
此外，该器件的工作温度范围宽广，能够适应极端环境条件，适合工业和汽车领域的严苛应用场景。
IMW65R048M1HXKSA1 广泛应用于各种高功率密度的场景中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器
- 电机驱动和逆变器
- 太阳能逆变器
- 电动车和混合动力车中的牵引逆变器
- 工业自动化设备中的功率控制模块
由于其高效的性能和可靠性，该器件特别适合需要高效率和高功率密度的设计。
IMW65R048M1HXA1, IRFH7272TRPBF, FDP8631
