IMP809S是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频和微波通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、低噪声系数以及宽工作频率范围的特点。它能够有效提升信号强度并降低系统噪声,适用于无线通信设备、卫星接收系统和其他高频电子设备中。
类型:低噪声放大器(LNA)
工作频率范围:0.1GHz 至 2.5GHz
增益:19dB 典型值
噪声系数:1.0dB 典型值
输入回波损耗:-10dB 典型值
输出回波损耗:-12dB 典型值
电源电压:3.3V
静态电流:30mA 典型值
封装形式:SOT-89
IMP809S具有以下主要特性:
1. 高增益性能,在整个工作频率范围内提供稳定的19dB增益。
2. 极低的噪声系数,典型值为1.0dB,确保高质量信号处理。
3. 宽带设计支持从0.1GHz到2.5GHz的应用需求。
4. 内部集成匹配网络,简化外部电路设计。
5. 小尺寸SOT-89封装,便于PCB布局与安装。
6. 稳定的工作温度范围:-40°C至+85°C,适合各种环境条件下的应用。
IMP809S因其优异的性能被广泛应用于多种领域:
1. 无线通信基础设施,如基站收发信机前端。
2. 卫星通信系统中的低噪声块下变频器(LNB)。
3. 移动终端设备如手持无线电装置或便携式数据采集器。
4. 雷达探测系统及导航辅助设备。
5. 测试测量仪器中用于提高灵敏度的前置放大级。
IMP809T, MGA-82563, BGA22WS