类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　漏极电流（ID）：90A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：70nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热（DS）
　　技术：OptiMOS?

MMD80R900QZRH 具有以下显著特性：
　　首先，其导通电阻非常低，最高为11.5mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗非常小，有助于提高系统效率。这种低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，例如在大功率电源转换器或电动机驱动器中。
　　其次，该MOSFET采用了英飞凌的OptiMOS?技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。这种技术使得MMD80R900QZRH能够在高频条件下稳定运行，从而允许设计者使用更小的电感和电容，减小整体系统尺寸。
　　此外，MMD80R900QZRH的封装设计采用了PowerPAK SO-8双侧散热（DS）技术，提供了良好的热管理能力。该封装不仅具备优异的热传导性能，还具有较小的体积，便于在高密度PCB布局中使用。
　　最后，该器件具有较高的耐热能力，其工作温度范围可达到175°C，能够在严苛的工业环境中保持稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化、服务器电源等对可靠性要求极高的应用领域。

MMD80R900QZRH 广泛应用于多个高功率和高效率要求的领域。例如，在电源管理领域，它常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中，以提高能量转换效率并减少热量产生。
　　在工业自动化和电机控制方面，MMD80R900QZRH可作为电机驱动器中的开关元件，实现高效能的功率控制。由于其高耐压和大电流承载能力，特别适用于需要频繁启停和高负载的应用场景。
　　在汽车电子中，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等关键部件，满足汽车工业对高可靠性和长寿命的需求。
　　此外，MMD80R900QZRH还适用于服务器和电信设备的电源模块，帮助实现高密度、高效率的电源解决方案。

BSC090N15NS5 AG, BSC010N08MS G, IPB090N15N3 G, FDS80N90A