IME2S18-08N4DC0 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于需要高效能功率转换的工业和自动化系统中。该模块基于先进的沟槽栅场截止 IGBT 技术,结合了出色的导通性能和开关性能,适用于各种中高功率应用。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):800V
额定集电极电流(Ic):18A
短路电流能力:72A(10ms)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:S18-08N4DC0(具体尺寸和引脚定义请参考数据手册)
技术:沟槽栅场截止(Trench Field Stop)
配置:单管模块
IME2S18-08N4DC0 采用了先进的沟槽栅场截止技术,具有较低的导通压降和出色的开关损耗表现,能够在高频率下保持稳定的性能。该模块的额定集电极电流为 18A,最大集电极-发射极电压为 800V,适合中高功率应用,如变频器、伺服驱动器和工业电机控制。
其短路电流能力可达 72A,持续时间为 10ms,这使得模块在异常工作条件下仍能保持较高的可靠性和安全性。此外,IME2S18-08N4DC0 的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C,适用于各种严苛的工业环境,确保在高温或低温下仍能稳定运行。
该模块采用标准封装设计,便于安装和散热,同时具备良好的电气隔离和机械稳定性,有助于提高系统的整体可靠性和寿命。IME2S18-08N4DC0 还集成了快速恢复二极管,可进一步提升系统效率,减少能量损耗。
此外,该模块的封装设计优化了热阻,确保在高负载下仍能保持较低的工作温度,从而延长使用寿命并提高系统稳定性。
IME2S18-08N4DC0 广泛应用于工业自动化设备、伺服驱动器、变频器、电机控制、不间断电源(UPS)以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)等中高功率电子系统中。其优异的性能和可靠性使其成为工业电机控制和电力电子转换系统中的关键元件。
IMEC18-08N4DC0、IMET18-08N4DC0、STGIPN18K60T-H、STGIPN18CH60