ILX505A 时间：2025/8/18 20:43:26 阅读：21

ILX505A是一款由Vishay Semiconductors制造的双路N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高性能功率管理应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力。ILX505A采用SOT-223封装，适合用于空间受限的电路设计。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。

参数

类型：MOSFET（N沟道，增强型）
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：连续5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值45mΩ（在VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

ILX505A具有低导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。其双路MOSFET结构允许在单个封装中实现两个独立的高功率开关，从而节省PCB空间并简化电路设计。该器件具有较高的热稳定性和耐用性，适用于需要高可靠性的应用场景。此外，ILX505A的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），便于与不同类型的驱动电路兼容。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，能够支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器等高频应用。其SOT-223封装具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。此外，ILX505A具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发电压波动时提供一定的保护作用。

应用

ILX505A主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电池供电设备以及工业自动化系统。其双路MOSFET结构特别适合用于需要双通道独立控制的电源切换或驱动电路。该器件也可用于高边或低边开关应用，如LED驱动、电机驱动和传感器电源控制。由于其高效率和小尺寸特性，ILX505A在便携式电子产品和汽车电子系统中也有广泛应用。