时间：2025/5/7 15:49:38
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ILD223T 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和高切换速度之间取得了良好的平衡，从而实现了高效的功率转换和较低的功耗。
ILD223T 的封装形式为 TO-220，具有较高的电流承载能力和散热性能，适合在工业级或商业级环境中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：47A
脉冲漏极电流：100A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ILD223T 提供了多种优越的性能特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性使得它适用于高频应用环境。
3. 具备较高的雪崩击穿能量（EAS）能力，增强了其在过载情况下的鲁棒性。
4. 内置防静电保护功能，提高了器件的可靠性和使用寿命。
5. 封装设计优化，便于安装和散热管理。
ILD223T 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
4. DC-DC 转换器和逆变器。
5. 过流保护和负载开关。
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP17N60
