类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大):100?A
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 10mA, 5V
功率 - 最大:36W
频率 - 转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-126-3
包装:管件
供应商设备封装:*
其它名称:497-7169-5STBD435STBD435-ND
厂商 |
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STMICROELECTRONICS |