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BD435 发布时间 时间:2022/12/30 10:30:55 查看 阅读:400

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA, 2A

    电流 - 集电极截止(最大):100?A

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 10mA, 5V

    功率 - 最大:36W

    频率 - 转换:3MHz

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-126-3

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-7169-5STBD435STBD435-ND


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BD435参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)85 @ 500mA,1V
  • 功率 - 最大36W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装TO225AA
  • 包装散装