时间：2025/4/28 13:41:20
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IKW50N65WR5是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装形式。这款器件具有高耐压、低导通电阻的特点，适合用于工业和汽车领域中的开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等应用。其额定电压为650V，持续漏极电流为50A，能够满足多种高压应用的需求。
该产品属于CoolMOS系列，采用了先进的超级结技术，从而大幅降低了导通电阻并提高了效率，同时具备优异的热性能和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：80mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：3020pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
IKW50N65WR5的核心优势在于其卓越的电气特性和热性能。首先，它具有较低的导通电阻，这不仅减少了功率损耗，还提升了整体系统效率。其次，通过超级结技术的应用，器件的开关速度得以优化，从而进一步降低开关损耗。
此外，该MOSFET拥有较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，使其在恶劣环境下也能稳定运行。其封装设计增强了散热能力，确保在高温条件下仍能保持高效表现。
为了便于驱动，IKW50N65WR5配备了阈值电压适中的栅极，简化了与控制电路的接口设计。同时，其短路耐受时间较长，进一步提升了系统的安全性与可靠性。
IKW50N65WR5广泛适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用领域。具体包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）：例如服务器电源、通信电源等大功率场景。
2. DC-DC转换器：如电动车充电器或分布式电源管理系统。
3. 工业电机驱动：用于变频器、伺服驱动器等设备。
4. 新能源逆变器：太阳能逆变器、风能转换系统。
5. 汽车电子：电动汽车牵引逆变器、车载充电机（OBC）以及其他高压负载控制模块。
IKW50N65E5, IRFP460, STW118N65DM2
