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IKW25N120T2 发布时间 时间:2025/4/29 8:53:22 查看 阅读:2

IKW25N120T2 是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于OptiMOS系列,采用先进的制造工艺设计,旨在提供高效率和高可靠性。其主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率转换的场景。
  该器件具有低导通电阻的特点,能够显著降低传导损耗,同时具备快速开关性能,有助于减少开关损耗。此外,它还拥有坚固的雪崩能力和较强的热稳定性,使其在恶劣环境下也能保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:4.8mΩ
  栅极电荷:68nC
  开关频率:高达1MHz
  封装形式:TO-247-3

特性

IKW25N120T2 具有以下特点:
  1. 低导通电阻,有助于提高整体效率并减少发热。
  2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 强大的雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
  4. 热稳定性优异,在高温环境下仍能保持良好的工作状态。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动车充电系统
  其强大的性能和可靠性使它成为这些应用的理想选择。

替代型号

IKW24N120T2, IRFB3207, FDP18N12A

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IKW25N120T2参数

  • 数据列表IKW25N120T2
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 功率 - 最大349W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000244960