时间：2025/5/29 1:55:52
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IKW20N60T 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式，适合于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用。其额定电压为 600V，连续漏极电流可达 20A，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频开关条件下实现高效性能。
IKW20N60T 在设计上采用了先进的 Trench 技术，从而优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡。这使其非常适合需要高效率和可靠性的电力电子应用。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：1.3Ω（典型值）
栅极电荷：34nC（典型值）
输入电容：1700pF（典型值）
反向恢复时间：95ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
IKW20N60T 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，通过减少开关损耗来提升系统的能效。
4. 优化的热性能设计，能够有效管理热量以保证长期可靠性。
5. 提供卓越的雪崩能力和鲁棒性，适应严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
IKW20N60T 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
3. 家用电器的电机驱动电路。
4. LED 照明驱动器。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
6. 可再生能源系统中的逆变器模块。
IKW20N60E, IRFP460, STP20NF60
